IPS118N10N G参数：MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012标准包装：1,500系列：OptiMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.8毫欧@75A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4320pF@50V功率-最大值：125W安装类型：通孔封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA供应商器件封装：PG-TO251-3
